Quantum ESPRESSO / DOS / PDOS / LLZO / Li metal interface

この記事の目的:LLZO–Li 界面モデルの電子状態を解析する第一歩として、
全元素・全軌道の寄与(PDOS)を E − EF 軸で可視化し、
「どの元素(どの軌道)が価電子帯上部・伝導帯下部を支配しているか」を把握します。
これは、界面でのバンド整列(Band Alignment)電子注入の起こりやすさの見積り、ひいては デンドライト成長の駆動因子を議論するための基礎データになります。

つまり、「LLZO のどの原子が電子を運びやすいか」を調べることで、 リチウム金属と接したときにデンドライトが伸びる/伸びない原因を探る第一歩となります。

0. 環境と準備

  • QE 7.4.1(GPU 版で SCF/NSCF、PostProc はCPUビルド)
  • OpenBLAS/FFTW(pp は CPU スレッドで可)
  • インプット/アウトプットはプロジェクト直下 ./tmp/if_gap3p0.save/

PostProc(pp)の最小ビルド

# 例:ソース直下で CMake ビルド
cd /home/dl/src/q-e-qe-7.4.1
mkdir -p build-pp-cmake && cd build-pp-cmake
cmake ../ -DQE_ENABLE_OPENMP=ON -DQE_ENABLE_CUDA=OFF -DQE_ENABLE_CUDA_HOST=OFF \
      -DQE_ENABLE_LIBXC=OFF -DQE_ENABLE_SCALAPACK=OFF -DQE_ENABLE_MPI=OFF
cmake --build . --target pp -j$(nproc)

# 実行パスを追加
export PATH="/home/dl/src/q-e-qe-7.4.1/build-pp-cmake/bin:$PATH"

1. 界面モデル(要旨)

界面モデルの構成(LLZO 基板 + Li 層 + 真空、格子合わせの簡易最適化など)は Ep.0 の方針に従います。
本ノートでは計算レシピの最短経路に集中し、詳細な構造パラメータは付録/レポで提供します。

2. SCF(初期密度)

# scf.in(抜粋)
&control
  calculation='scf', prefix='if_gap3p0', outdir='./tmp'
/
&system
  ecutwfc=40, ecutrho=320, occupations='smearing', smearing='mp', degauss=0.05
/
K_POINTS automatic
2 2 2  0 0 0
ATOMIC_SPECIES ...(略)
ATOMIC_POSITIONS ...(略)
CELL_PARAMETERS ...(略)
pw.x < scf.in > scf.out

3. NSCF(バンド/PDOS 用の波動関数)

# nscf_k444.in(抜粋)
&control
  calculation='nscf', prefix='if_gap3p0', outdir='./tmp'
/
&system
  occupations='smearing', smearing='mp', degauss=0.01
/
K_POINTS automatic
4 4 4  0 0 0
pw.x < nscf_k444.in > nscf_k444.out

4. DOS / PDOS の取得

DOS

# dos.in
&DOS
  outdir='./tmp', prefix='if_gap3p0',
  fildos='dos_k444_sm001.dat', DeltaE=0.01
/
dos.x < dos.in > dos.out

PDOS

# projwfc.in
&PROJWFC
  outdir='./tmp', prefix='if_gap3p0',
  DeltaE=0.01, filpdos='pdos_k444_sm001'
/
projwfc.x < projwfc.in > projwfc.out

5. 元素別に合算して E−EF へシフト(ワンコマンド)

( 
  set -euo pipefail; shopt -s nullglob
  EF=$(awk '/the Fermi energy is/ {ef=$5} END{print ef}' nscf_k444.out)
  sum(){ local L=$1 P=$2; mapfile -d '' F < <(find . -maxdepth 1 -name "$P" -print0)
        awk '/^#/ {next} NF>=2 {s[$1]+=$2} END{for(e in s) printf "%12.6f %15.8e\n",e,s[e]}' "${F[@]}" | sort -g > "PDOS_${L}.dat"
        awk -v EF="$EF" '{printf "%12.6f %15.8e\n",$1-EF,$2}' "PDOS_${L}.dat" > "PDOS_${L}_EF.dat"; }
  sum Li 'pdos_k444_sm001.pdos_atm#*(Li)_wfc#*'
  sum O  'pdos_k444_sm001.pdos_atm#*(O)_wfc#*'
  sum Zr 'pdos_k444_sm001.pdos_atm#*(Zr)_wfc#*'
  sum La 'pdos_k444_sm001.pdos_atm#*(La)_wfc#*'
)

6. DOS/PDOS の可視化(E − EF

作図スクリプト例(matplotlib)と生成図は Git/付録に同梱。ここでは完成図のみ掲載します。

LLZO–Li interface DOS/PDOS (E − EF aligned)
図1. LLZO–Li 界面の DOS/PDOS(E − EF 揃え)。O 2p が価電子帯上部、Zr d が伝導帯下部を主に担う。Li 寄与は近傍のスパイクに限られ、La f/d は高エネルギー側に現れる。

図の見方(E − EF を軸にした読み取り)
横軸はエネルギー、中央の 0 eV がフェルミ準位です。左(負側)は価電子帯、右(正側)は伝導帯、両者の間の空白はバンドギャップを表します。 赤(O 2p)は価電子帯を主に担い、緑(Zr 4d)は伝導帯の主成分、灰(Li s)は E=0 近傍の小ピークとして現れます。
価電子帯(赤)が満ち、伝導帯(緑)との間に数 eV 規模の空白(ギャップ)があることは、LLZO が電子的に絶縁体であることを示します。灰の小ピークは Li 金属側からのわずかな電子浸み出しで、界面での初期電子移動の兆候を示唆します。

7. ミニ考察(Ep.1 の位置づけ)

  • 価電子帯上部はO 2p成分が卓越、伝導帯下部はZr d成分が支配的。
  • この分離は LLZO の絶縁体的特性と整合的で、Li 金属側からの電子注入が界面で起きにくいことを示唆。
  • したがって、本結果は「界面の電子的整列と安定性設計を検討するうえでの基礎データ」になる。

次回予告(Ep.2):本DOS/PDOSを踏まえ、界面のバンド整列(ワークファンクション/真空準位合わせ)と 電位差を定量化し、電子注入障壁やデンドライト成長との関係を議論します。

付録:よくあるハマりどころ

  • pp が見つからない:GPU ビルドの QE 本体と別に pp を CPU でビルドし、PATH を通す。
  • PDOS ファイル名:QE 7 系は .pdos 拡張子が付かない(projwfc.x 標準)。find のパターンに注意。
  • E − EF ずれ:参照にした nscf.out の Fermi energy を必ず使用(k メッシュと smearing を合わせる)。

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