Quantum ESPRESSO / DOS / PDOS / LLZO / Li metal interface
この記事の目的:LLZO–Li 界面モデルの電子状態を解析する第一歩として、
全元素・全軌道の寄与(PDOS)を E − EF 軸で可視化し、
「どの元素(どの軌道)が価電子帯上部・伝導帯下部を支配しているか」を把握します。
これは、界面でのバンド整列(Band Alignment)や電子注入の起こりやすさの見積り、ひいては デンドライト成長の駆動因子を議論するための基礎データになります。
つまり、「LLZO のどの原子が電子を運びやすいか」を調べることで、 リチウム金属と接したときにデンドライトが伸びる/伸びない原因を探る第一歩となります。
0. 環境と準備
- QE 7.4.1(GPU 版で SCF/NSCF、PostProc はCPUビルド)
- OpenBLAS/FFTW(pp は CPU スレッドで可)
- インプット/アウトプットはプロジェクト直下
./tmp/if_gap3p0.save/
PostProc(pp)の最小ビルド
# 例:ソース直下で CMake ビルド
cd /home/dl/src/q-e-qe-7.4.1
mkdir -p build-pp-cmake && cd build-pp-cmake
cmake ../ -DQE_ENABLE_OPENMP=ON -DQE_ENABLE_CUDA=OFF -DQE_ENABLE_CUDA_HOST=OFF \
-DQE_ENABLE_LIBXC=OFF -DQE_ENABLE_SCALAPACK=OFF -DQE_ENABLE_MPI=OFF
cmake --build . --target pp -j$(nproc)
# 実行パスを追加
export PATH="/home/dl/src/q-e-qe-7.4.1/build-pp-cmake/bin:$PATH"
1. 界面モデル(要旨)
界面モデルの構成(LLZO 基板 + Li 層 + 真空、格子合わせの簡易最適化など)は Ep.0 の方針に従います。
本ノートでは計算レシピの最短経路に集中し、詳細な構造パラメータは付録/レポで提供します。
2. SCF(初期密度)
# scf.in(抜粋)
&control
calculation='scf', prefix='if_gap3p0', outdir='./tmp'
/
&system
ecutwfc=40, ecutrho=320, occupations='smearing', smearing='mp', degauss=0.05
/
K_POINTS automatic
2 2 2 0 0 0
ATOMIC_SPECIES ...(略)
ATOMIC_POSITIONS ...(略)
CELL_PARAMETERS ...(略)
pw.x < scf.in > scf.out
3. NSCF(バンド/PDOS 用の波動関数)
# nscf_k444.in(抜粋)
&control
calculation='nscf', prefix='if_gap3p0', outdir='./tmp'
/
&system
occupations='smearing', smearing='mp', degauss=0.01
/
K_POINTS automatic
4 4 4 0 0 0
pw.x < nscf_k444.in > nscf_k444.out
4. DOS / PDOS の取得
DOS
# dos.in
&DOS
outdir='./tmp', prefix='if_gap3p0',
fildos='dos_k444_sm001.dat', DeltaE=0.01
/
dos.x < dos.in > dos.out
PDOS
# projwfc.in
&PROJWFC
outdir='./tmp', prefix='if_gap3p0',
DeltaE=0.01, filpdos='pdos_k444_sm001'
/
projwfc.x < projwfc.in > projwfc.out
5. 元素別に合算して E−EF へシフト(ワンコマンド)
(
set -euo pipefail; shopt -s nullglob
EF=$(awk '/the Fermi energy is/ {ef=$5} END{print ef}' nscf_k444.out)
sum(){ local L=$1 P=$2; mapfile -d '' F < <(find . -maxdepth 1 -name "$P" -print0)
awk '/^#/ {next} NF>=2 {s[$1]+=$2} END{for(e in s) printf "%12.6f %15.8e\n",e,s[e]}' "${F[@]}" | sort -g > "PDOS_${L}.dat"
awk -v EF="$EF" '{printf "%12.6f %15.8e\n",$1-EF,$2}' "PDOS_${L}.dat" > "PDOS_${L}_EF.dat"; }
sum Li 'pdos_k444_sm001.pdos_atm#*(Li)_wfc#*'
sum O 'pdos_k444_sm001.pdos_atm#*(O)_wfc#*'
sum Zr 'pdos_k444_sm001.pdos_atm#*(Zr)_wfc#*'
sum La 'pdos_k444_sm001.pdos_atm#*(La)_wfc#*'
)
6. DOS/PDOS の可視化(E − EF)
作図スクリプト例(matplotlib)と生成図は Git/付録に同梱。ここでは完成図のみ掲載します。
図の見方(E − EF を軸にした読み取り)
横軸はエネルギー、中央の 0 eV がフェルミ準位です。左(負側)は価電子帯、右(正側)は伝導帯、両者の間の空白はバンドギャップを表します。 赤(O 2p)は価電子帯を主に担い、緑(Zr 4d)は伝導帯の主成分、灰(Li s)は E=0 近傍の小ピークとして現れます。
価電子帯(赤)が満ち、伝導帯(緑)との間に数 eV 規模の空白(ギャップ)があることは、LLZO が電子的に絶縁体であることを示します。灰の小ピークは Li 金属側からのわずかな電子浸み出しで、界面での初期電子移動の兆候を示唆します。
7. ミニ考察(Ep.1 の位置づけ)
- 価電子帯上部はO 2p成分が卓越、伝導帯下部はZr d成分が支配的。
- この分離は LLZO の絶縁体的特性と整合的で、Li 金属側からの電子注入が界面で起きにくいことを示唆。
- したがって、本結果は「界面の電子的整列と安定性設計を検討するうえでの基礎データ」になる。
次回予告(Ep.2):本DOS/PDOSを踏まえ、界面のバンド整列(ワークファンクション/真空準位合わせ)と 電位差を定量化し、電子注入障壁やデンドライト成長との関係を議論します。
付録:よくあるハマりどころ
- pp が見つからない:GPU ビルドの QE 本体と別に
ppを CPU でビルドし、PATHを通す。 - PDOS ファイル名:QE 7 系は
.pdos拡張子が付かない(projwfc.x標準)。find のパターンに注意。 - E − EF ずれ:参照にした
nscf.outの Fermi energy を必ず使用(k メッシュと smearing を合わせる)。
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